继前次宣告重磅出资缺乏3个月，国内IGBT(绝缘栅双极型晶体管)龙头企业斯达半导再度加码碳化硅功率芯片布局。3月3日，斯达半导收跌5.03%，报237.6元。
3月2日晚间，斯达半导公告发表了2021年度非揭露发行A股股票预案，公司拟非揭露发行股票征集资金总额不超越35亿元，不超越1600万股。征集资金扣除相关发行费用后将用于出资高压特征工艺功率芯片和SiC(碳化硅)芯片研制及工业化项目、功率半导体模块生产线自动化改造项目和弥补流动资金。
公告显现，此次定增征集的35亿元资金，有20亿元将用于高压特征工艺功率芯片和SiC研制及工业化项目。项目达产后，估计将构成年产36万片功率半导体芯片的生产能力。斯达半导称，该项意图成功施行，有助于公司丰厚本身产品线，有用整合工业资源，稳固并进步公司的商场位置和归纳竞争力。
这并不是斯达半导初次布局碳化硅功率芯片。上一年12月18日，斯达半导公告称，公司拟出资22947万元建造全碳化硅功率模组工业化项目，出资建造年产8万颗车规级全碳化硅功率模组生产线和研制测试中心。
IHS数据显现，2019年斯达半导在全球IGBT模块商场排名第8，是仅有进入前10的中国企业。财报显现，近年来公司IGBT模块营收占比均在98%以上，2016至2019年，公司别离完成营收3.01亿元、4.38亿元、6.75亿元、7.79亿元，年均复合增速37.30%，归母净利润别离为0.21亿元、0.53亿元、0.97亿元、1.35亿元，年均复合增速85.94%。上一年前三季度完成营收6.68亿元，同比增加18.14%，归母净利润1.34亿元，同比增加29.44%。
公司近期屡次加码布局碳化硅功率芯片，与当时蓬勃发展的新能源轿车商场不无关系。斯达半导称，中国是全球最大的功率半导体商场，在“新基建”的工业环境下，5G、新能源轿车、数据中心、工业操控等许多工业对功率半导体产生了巨大需求。碳化硅功率模组作为第三代半导体功率器材，其高温、高效和高频特性是完成新能源轿车电机操控器功率密度和功率提高的要害要素。轿车级碳化硅功率模组的商场需求将在新能源轿车商场带动下完成快速增加，商场空间巨大。
记者了解到，采埃孚、博世等多家零部件制造商以及特斯拉、比亚迪等车企早已宣告在其部分产品中选用SiCMOSFET计划。依据Yole数据，到2025年新能源轿车用SiC功率器材商场规模将到达15.5亿美元，2019-2025年复合增速38%。国盛证券称，车用SiC黄金十年行将敞开。华西证券指出，此次斯达半导经过此次定增项目有望打破IGBT、SiC模块产能瓶颈，提高市占率。
依据相关法律法规要求，请求非揭露发行股票事项需发表公司最近五年被证券监管部门和交易所处分或采纳监管办法的状况。斯达半导称，2019年7月5日，公司收到证监会警示函，证监会就公司请求初次揭露发行股票并上市过程中，财政核算不标准、信息发表不精确等问题采纳出具警示函的行政监督管理办法，公司已及时对有关事项进行纠正。
